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J-GLOBAL ID：201303023677552539

周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、それに用いるノズルおよび製造装置

Inventor： 郷田 理貴 ,  田中 裕之 ,  福山 尚志 ,  鈴木 敬紀 ,  藤戸 健史
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012276044
Publication number (International publication number)：2013229554
Application date： Dec. 18, 2012
Publication date： Nov. 07, 2013
Summary：

【課題】膜厚分布が小さくて良質な周期表第13族金属窒化物半導体結晶を気相成長法により提供すること。【解決手段】反応容器内において下地基板の主面を成長面として周期表第13族金属窒化物半導体結晶を成長させる際に、周期表第13族金属原料含有ガス供給用ノズルの供給口をその供給方向に向かって下地基板の成長面を含む面上に投影したノズルの投影面の面積のうち、下地基板の成長面の中心部に含まれる面積割合を95%以下とし、下地基板の成長面の外周部に含まれる面積割合を5%以上とする(中心部とは下地基板の成長面の中心から下地基板の成長面の最大径の33%までの領域を意味し、外周部とは下地基板の成長面における中心部よりも外側の領域を意味する)。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

反応容器内において下地基板の主面を成長面として周期表第13族金属窒化物半導体結晶を成長させる成長工程を含む周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法であって、 前記成長工程において周期表第13族金属原料含有ガス供給用ノズルから周期表第13族金属原料含有ガスを前記反応容器内に供給し、かつ、 前記周期表第13族金属原料含有ガス供給用ノズルの供給口をその供給方向に向かって前記下地基板の成長面を含む面上に投影したノズルの投影面の面積のうち、前記下地基板の成長面の中心部に含まれる面積割合を95%以下とし、前記下地基板の成長面の外周部に含まれる面積割合を5%以上とすることを特徴とする周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法(ここにおいて、前記中心部とは前記下地基板の成長面の中心から前記下地基板の成長面の最大径の33%までの領域を意味し、前記外周部とは前記下地基板の成長面における前記中心部よりも外側の領域を意味する)。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/38

FI (3)：

H01L21/205 ,  C30B25/14 ,  C30B29/38 D

F-Term (42)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB11 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EC09 ,  4G077ED06 ,  4G077EG04 ,  4G077EG23 ,  4G077EG25 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TG06 ,  4G077TG14 ,  4G077TH02 ,  4G077TH08 ,  4G077TH11 ,  5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045DQ08 ,  5F045EE20 ,  5F045EF07 ,  5F045EF09