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J-GLOBAL ID:201303024851083892

半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 北野 好人 ,  三村 治彦
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2011289138
Publication number (International publication number):2012124500
Patent number:5297519
Application date: Dec. 28, 2011
Publication date: Jun. 28, 2012
Claim (excerpt):
【請求項1】 下地層上に、自己組織化成長により量子ドットを形成する工程と、 前記量子ドットを形成する工程の前又は前記量子ドットを形成する工程の際に、前記下地層の表面にSb又はGaSbを照射する工程と、 前記量子ドットを形成する工程の後、前記量子ドットの表面にAs原料ガスを一定時間照射する又は前記量子ドットの表面をエッチングすることにより、前記量子ドットの表面に析出したSbを含む表面層を除去する工程と、 前記表面層を除去する工程の後、前記量子ドットの表面に、有機Sb原料ガスを照射する工程と、 前記有機Sb原料ガスを照射する工程の後、前記量子ドット上に、キャップ層を成長する工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4):
H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01S 5/343 ( 200 6.01) ,  C23C 16/30 ( 200 6.01) ,  C23C 16/18 ( 200 6.01)
FI (4):
H01L 21/205 ,  H01S 5/343 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/18
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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