半導体レーザ、それを備えたレーザモジュールおよび半導体レーザの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：松山隆夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007083846
Publication number (International publication number)：2008244216
Patent number：5184804
Application date： Mar. 28, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】基板上に形成され、レーザ光を平坦面である出射面から出射する活性層と、前記基板の面内方向において前記出射面と反対側の前記活性層の端面に接して配置されるとともに、前記レーザ光の波長に相当するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する半導体材料からなり、前記活性層に接した側と反対側に曲面を有する窓部材と、前記平坦面に形成された低反射膜と、前記曲面に形成された高反射膜とを備え、前記活性層および前記窓部材は、前記基板の面内方向に配置され、前記曲面は、ドライエッチングによって形成され、前記活性層に向かって凸になっている、半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 5/16 ( 200 6.01) , H01S 5/065 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01S 5/16 , H01S 5/065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-079390
特開平3-095984
特開平2-213186

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