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J-GLOBAL ID：201303026073862105

整流回路

Inventor： 小谷 光司 ,  伊藤 隆司
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (4)： 重信 和男 ,  清水 英雄 ,  高木 祐一 ,  中野 佳直
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2006176051
Publication number (International publication number)：2008011584
Patent number：4839440
Application date： Jun. 27, 2006
Publication date： Jan. 17, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】 交流信号が両者間に印加される第一の交流端子および第二の交流端子と 整流された信号が両者間に出力される第一の直流端子および第二の直流端子と, 第一のNチャネルMOSトランジスタと,第一のPチャネルMOSトランジスタと, 第二のNチャネルMOSトランジスタと,第二のPチャネルMOSトランジスタと, を備え, 前記第一のNチャネルMOSトランジスタのソースおよびドレイン電極が,それぞれ前記第一の交流端子および前記第一の直流端子のどちらかに排他的に接続され, 前記第一のPチャネルMOSトランジスタのソースおよびドレイン電極が,それぞれ前記第一の交流端子および前記第二の直流端子のどちらかに排他的に接続され, 前記第二のNチャネルMOSトランジスタのソースおよびドレイン電極が,それぞれ前記第二の交流端子および前記第一の直流端子のどちらかに排他的に接続され, 前記第二のPチャネルMOSトランジスタのソースおよびドレイン電極が,それぞれ前記第二の交流端子および前記第二の直流端子のどちらかに排他的に接続され, 前記第一のNチャネルMOSトランジスタのゲート電極が,前記第二の交流端子に,第一の容量を介して交流的に接続され, 前記第一のPチャネルMOSトランジスタのゲート電極が,前記第二の交流端子に,第二の容量を介して交流的に接続され, 前記第二のNチャネルMOSトランジスタのゲート電極が,前記第一の交流端子に,第三の容量を介して交流的に接続され, 前記第二のPチャネルMOSトランジスタのゲート電極が,前記第一の交流端子に,第四の容量を介して交流的に接続され, 前記第一のNチャネルMOSトランジスタ,前記第一のPチャネルMOSトランジスタ,前記第二のNチャネルMOSトランジスタ,前記第二のPチャネルMOSトランジスタのゲート電極の直流的電位をそれぞれ設定する手段を備える, ことを特徴とする整流回路。

IPC (2)：

H02M 7/12 ( 200 6.01) ,  H02M 7/21 ( 200 6.01)

FI (3)：

H02M 7/12 601 A ,  H02M 7/21 ,  H02M 7/12 X