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J-GLOBAL ID：201303032130573824

光電変換素子及び撮像装置、太陽電池

Inventor： 榎 修 ,  二瓶 あゆみ
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 特許業務法人信友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011165184
Publication number (International publication number)：2013030592
Application date： Jul. 28, 2011
Publication date： Feb. 07, 2013
Summary：

【課題】十分な感度を有し、かつ低いコストで実現することが可能な構成の光電変換素子を提供する。【解決手段】チオインジゴ誘導体を含んで成る光電変換層12を有する、光電変換素子10を構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

チオインジゴ誘導体を含んで成る光電変換層を有する 光電変換素子。

IPC (4)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146 ,  H01L 51/42 ,  C07D 333/64

FI (4)：

H01L31/10 A ,  H01L27/14 E ,  H01L31/04 D ,  C07D333/64

F-Term (36)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GC14 ,  5F049MA01 ,  5F049MB08 ,  5F049NA01 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049RA03 ,  5F049SE02 ,  5F049SE03 ,  5F049SE04 ,  5F049SS03 ,  5F049TA12 ,  5F049TA13 ,  5F049UA13 ,  5F049UA20 ,  5F049WA03 ,  5F151AA11 ,  5F151FA02 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15