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J-GLOBAL ID：201303032357246706

半導体装置の製造方法

Inventor：
温井 健司

About 温井 健司


Applicant, Patent owner：
富士通セミコンダクター株式会社

About 富士通セミコンダクター株式会社


Agent (2)： 伊東 忠彦 ,  山口 昭則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011280568
Publication number (International publication number)：2013131651
Application date： Dec. 21, 2011
Publication date： Jul. 04, 2013
Summary：
【課題】均一性が高く、高い歩留りで窒化物半導体を有する半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板の上に、窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層の上に、導電膜を形成する工程と、前記導電膜の上に、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンが形成されて領域の前記導電膜をドライエッチングにより除去し、電極を形成する工程と、を有し、前記ドライエッチングに用いられるエッチングガスは、塩素成分を含むガスにフッ素成分を含むガスまたは酸素を加えたものであることを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
基板の上に、窒化物半導体層を形成する工程と、 前記窒化物半導体層の上に、導電膜を形成する工程と、 前記導電膜の上に、レジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンが形成されて領域の前記導電膜をドライエッチングにより除去し、電極を形成する工程と、 を有し、 前記ドライエッチングに用いられるエッチングガスは、塩素成分を含むガスにフッ素成分を含むガスまたは酸素を加えたものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28
FI (4)：
H01L21/302 105A ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 E ,  H01L21/28 301B
F-Term (53)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD67 ,  4M104DD68 ,  4M104EE06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH11 ,  5F004AA01 ,  5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB12 ,  5F004EB02 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT06 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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