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J-GLOBAL ID：201303034087443671

半導体装置

Inventor：
日山 一明

About 日山 一明


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (2)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011216533
Publication number (International publication number)：2013077976
Application date： Sep. 30, 2011
Publication date： Apr. 25, 2013
Summary：
【課題】スイッチング素子のターンオン直後における、過電流保護回路の誤動作防止と過電流検出遅れ防止とを両立させる。【解決手段】半導体装置は、スイッチング素子1のセンス端子に流れるセンス電流を電圧(センス電圧)に変換するセンス抵抗4と、センス電圧が閾値を越えたときにスイッチング素子1の保護動作を行う過電流保護回路3とを備える。過電流保護回路3は、上記閾値を、第1基準電圧VREF1またはそれよりも低い第2基準電圧VREF2に切り替えることができる。過電流保護回路3は、スイッチング素子1が定常状態のときは、上記閾値を第2基準電圧VREF2とし、スイッチング素子1のターンオン直後のミラー期間のときは、上記閾値を第1基準電圧VREF1に設定する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
スイッチング素子と、 前記スイッチング素子に流れる主電流を分流したセンス電流を電圧に変換したセンス電圧を生成する受動素子と、 前記センス電圧が閾値を越えたときに前記スイッチング素子の保護動作を行う保護回路と、 前記スイッチング素子がターンオンした直後の一定期間、前記センス電圧が前記閾値に達しにくくする誤動作防止手段とを備え、 前記誤動作防止手段は、前記一定期間の間、前記受動素子が生成する、前記センス電流に対する前記センス電圧の大きさを小さくすることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H03K 17/08 ,  H03K 17/56 ,  H02M 1/00
FI (3)：
H03K17/08 Z ,  H03K17/56 Z ,  H02M1/00 H
F-Term (26)：
5H740AA08 ,  5H740BA11 ,  5H740KK01 ,  5H740MM11 ,  5J055AX34 ,  5J055AX53 ,  5J055AX55 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055DX09 ,  5J055DX53 ,  5J055EX02 ,  5J055EY01 ,  5J055EY03 ,  5J055EY10 ,  5J055EZ03 ,  5J055EZ10 ,  5J055EZ14 ,  5J055EZ42 ,  5J055EZ50 ,  5J055FX04 ,  5J055FX13 ,  5J055FX32 ,  5J055FX38 ,  5J055GX01 ,  5J055GX05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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