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J-GLOBAL ID：201303035216724778

n型亜鉛アンチモン系化合物熱電半導体

Inventor： 長谷崎 和洋
Applicant, Patent owner： 国立大学法人島根大学
Agent (1)： 森山 陽
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009072844
Publication number (International publication number)：2009260321
Patent number：5256560
Application date： Mar. 24, 2009
Publication date： Nov. 05, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】熱を直接電力に変換する亜鉛アンチモン系化合物に、窒化物を添加した、n型亜鉛アンチモン系化合物熱電半導体であって、前記窒化物が、Zn3N2、GaN及びInNの群から選択される少なくとも一種である、n型亜鉛アンチモン系化合物熱電半導体。

IPC (2)：

H01L 35/18 ( 200 6.01) ,  H02N 11/00 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 35/18 ,  H02N 11/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高強度熱電材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-378807   Applicant：株式会社超高温材料研究所
• 熱電変換モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-131545   Applicant：株式会社住友金属エレクトロデバイス