化合物半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：國分孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011241703
Publication number (International publication number)：2013098440
Application date： Nov. 02, 2011
Publication date： May. 20, 2013
Summary：

【課題】比較的簡素な構成で電流コラプスの発生を抑制し、デバイス特性の劣化を抑えた信頼性の高い高耐圧のAlGaN/GaN・HEMTを実現する。【解決手段】SiC基板1上に化合物半導体積層構造2を備えたAlGaN/GaN・HEMTにおいて、3層のキャップ層2eを用いることに加え、キャップ層2eのドレイン電極5の近傍(ゲート電極6とドレイン電極5との間で、ドレイン電極5の隣接箇所)に高濃度n型部位2eAを形成し、高濃度n型部位2eAでは、そのキャリア濃度が電子供給層2dのキャリア濃度よりも高く、そのエネルギー準位がフェルミエネルギーよりも低い。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

キャリアが形成される第1の化合物半導体層と、前記第1の化合物半導体層の上方で、キャリアを供給する第2の化合物半導体層と、前記第2の化合物半導体層の上方の第3の化合物半導体層とを有する化合物半導体積層構造を備えており、前記第3の化合物半導体層は、そのキャリア濃度が前記第2の化合物半導体層のキャリア濃度よりも高い局所部位を有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/205

FI (6)：

H01L29/80 H , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 301B , H01L29/78 618F , H01L21/205

F-Term (97)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA07 , 5F045DA52 , 5F045DA57 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GN08 , 5F102GQ01 , 5F102GR07 , 5F102GR11 , 5F102GR13 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC10 , 5F110AA07 , 5F110AA13 , 5F110BB12 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG36 , 5F110GG58 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK41 , 5F110HM02 , 5F110QQ14 , 5F140AA25 , 5F140AA29 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB06 , 5F140BB12 , 5F140BB13 , 5F140BC12 , 5F140BC15 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE03 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BH07 , 5F140BH47 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BK09 , 5F140BK29 , 5F140CE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-272389 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-015641
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-010756 Applicant：沖電気工業株式会社

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