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J-GLOBAL ID：201303038274912257

半導体装置

Inventor： 竹内 日出雄 ,  山本 佳嗣
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (2)： 高田 守 ,  高橋 英樹
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008052409
Publication number (International publication number)：2009212231
Patent number：5320774
Application date： Mar. 03, 2008
Publication date： Sep. 17, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 半導体基板上にAlN層、GaN層およびAlGaN層が順番に形成された半導体装置であって、 前記AlN層の上面の一部を露出するように、前記GaN層および前記AlGaN層に第1の開口が形成され、 前記第1の開口と対向する位置に、前記AlN層の下面の一部を露出するように、前記半導体基板に第2の開口が形成され、 前記第1の開口内において前記AlN層の上面に上部電極が形成され、 前記第2の開口内において前記AlN層の下面に下部電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 27/095 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 29/80 E ,  H01L 29/80 H ,  H01L 27/04 C