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J-GLOBAL ID：201303041263672840

有機ELデバイス、および有機ELデバイスの製造方法

Inventor： 山本 祐五 ,  大池 節子
Applicant, Patent owner： 三井化学株式会社
Agent (2)： 鷲田 公一 ,  飯沼 和人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012017521
Publication number (International publication number)：2013157228
Application date： Jan. 31, 2012
Publication date： Aug. 15, 2013
Summary：

【課題】回路基板と表示基板との線膨張係数の差が大きい有機ELデバイスであっても、反りが少ない有機ELデバイスを提供することを目的とする。【解決手段】基材(H)、面封止材、基材(L)、形状保持層をこの順で含み、前記基材(H)または基材(L)に有機EL素子が配置されている有機ELデバイスであって、前記基材(H)の線膨張係数よりも、前記基材(L)の線膨張係数の方が小さく、かつ前記基材(H)の線膨張係数と前記基材(L)の線膨張係数との差が5×10-6cm/cm/°C以上であり、前記形状保持層が軟化点110°C以上の熱可塑性ポリマーを含み、かつ前記形状保持層の線膨張係数と前記基材(H)の線膨張係数との差が160×10-6cm/cm/°C以下である、有機ELデバイスを提供する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基材(H)、面封止材、基材(L)、形状保持層をこの順で含み、前記基材(H)または基材(L)に有機EL素子が配置されている有機ELデバイスであって、 前記基材(H)の線膨張係数よりも、前記基材(L)の線膨張係数の方が小さく、かつ前記基材(H)の線膨張係数と前記基材(L)の線膨張係数との差が5×10-6cm/cm/°C以上であり、 前記形状保持層が軟化点110°C以上の熱可塑性ポリマーを含み、かつ前記形状保持層の線膨張係数と前記基材(H)の線膨張係数との差が160×10-6cm/cm/°C以下である、有機ELデバイス。

IPC (4)：

H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/02

FI (4)：

H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/02

F-Term (12)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC23 ,  3K107DD11 ,  3K107DD12 ,  3K107DD15 ,  3K107DD16 ,  3K107EE42 ,  3K107EE44 ,  3K107EE55 ,  3K107FF05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-042519   Applicant：セイコーエプソン株式会社