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J-GLOBAL ID：201303042776832912

トランス体のエチレン誘導体の製造方法

Inventor： 伊藤 直次 ,  佐藤 剛史 ,  伊藤 智志
Applicant, Patent owner： 国立大学法人宇都宮大学
Agent (1)： 吉村 俊一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007091718
Publication number (International publication number)：2008247817
Patent number：5044788
Application date： Mar. 30, 2007
Publication date： Oct. 16, 2008
Claim (excerpt)：

【請求項1】 下記一般式(1)で表されるシス体のエチレン誘導体を、不活性雰囲気又は超臨界二酸化炭素雰囲気下で、無溶媒及び無触媒下で、50°C以上、300°C以下の温度で保持するシス-トランス異性化反応工程を有することを特徴とするトランス体のエチレン誘導体の製造方法。 (一般式(1)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、-SO2R3で表わされるスルホニル基を表す。R3はフェニル基を表す。)

IPC (2)：

C07C 315/04 ( 200 6.01) ,  C07C 317/14 ( 200 6.01)

FI (2)：

C07C 315/04 ,  C07C 317/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特許第1141690号
  
• エチレン系不飽和カルボン酸又はそのエステルの異性化物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-313916   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• シトラール水素化物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-085043   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 気体状態又は超臨界状態の媒体の計量導入方法及びそのための装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-223230   Applicant：ビーエーエスエフアクチェンゲゼルシャフト

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 材料, 1996, Vol.45, No.3, pp.262-267