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J-GLOBAL ID：201303043557403190

導電体およびその製造方法

Inventor： 中尾 祥一郎 ,  山田 直臣 ,  一杉 太郎 ,  長谷川 哲也
Applicant, Patent owner： 財団法人神奈川科学技術アカデミー ,  旭硝子株式会社
Agent (4)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008078042
Publication number (International publication number)：2009231213
Patent number：5173512
Application date： Mar. 25, 2008
Publication date： Oct. 08, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板上に、Nb、Ta、Mo、As、Sb、W、N、F、S、Se、Te、Cr、Ni、Tc、Re、P及びBiからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントが添加された酸化チタンからなる層(Z)が2層以上設けられており、 該2層以上のうち少なくとも1層は、チタンとドーパントの原子数合計に対するドーパントの原子数の割合が0.01〜4原子%である第2層(Z2)であり、 該第2層(Z2)と基板との間に、該第2層(Z2)よりも、前記チタンとドーパントの原子数合計に対するドーパントの原子数の割合が多い第1層(Z1)が設けられていることを特徴とする導電体。

IPC (3)：

H01B 5/14 ( 200 6.01) ,  H01B 13/00 ( 200 6.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  C23C 14/08 N