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J-GLOBAL ID：201303048308192149

高性能電極

Inventor： ウエスト, ジョン ケー. ,  ウエスト, ダニエル ジェイ. ,  レガラド, ジュリアス ,  チョウ, シン ,  クラーク, マイルズ
Applicant, Patent owner： ジー4 シナジェティクス, インコーポレイテッド
Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2012529975
Publication number (International publication number)：2013505546
Application date： Sep. 21, 2010
Publication date： Feb. 14, 2013
Summary：

ナノ構造化材料をエネルギー貯蔵デバイス用の電極に組み込むための技法、構成および組成物が提供される。例えば、カーボンナノチューブ、シリコンナノワイヤー、炭化ケイ素ナノワイヤー、亜鉛ナノワイヤー、および他の材料などの材料は、例えば、電気伝導度、熱伝導度または耐久性などの電極特性を修飾するために使用することができる。いくつかの実施形態において、ナノ構造化材料は、例えば、スラリー、粉末などの電極配合物に添加することができる。ナノ構造化材料は、活性物質粒子または電極要素に直接堆積させることができる。いくつかの実施形態において、堆積を助けるために被覆を使用することができる。

Claim (excerpt)：

電極を形成する方法であって、該方法は、 活性物質粒子、電気伝導性粒子および液状薬剤を組み合わせてスラリーを形成することであって、該活性物質粒子および該電気伝導性粒子のうちの少なくとも1つはナノ構造化材料を含む、ことと、 該スラリーを電極要素と接触するように配置することと、 該スラリーを乾燥させて該電極を形成することと を含む、方法。

IPC (8)：

H01M 4/04 ,  H01M 4/38 ,  H01M 4/58 ,  H01M 4/587 ,  H01M 4/62 ,  H01M 4/36 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/80

FI (8)：

H01M4/04 101Z ,  H01M4/38 Z ,  H01M4/58 101 ,  H01M4/58 103 ,  H01M4/62 Z ,  H01M4/36 C ,  H01M4/02 Z ,  H01M4/80 C

F-Term (38)：

5E078AA05 ,  5E078AB01 ,  5E078AB06 ,  5E078BA15 ,  5E078BA26 ,  5E078BA30 ,  5E078BA31 ,  5H017AA02 ,  5H017AA03 ,  5H017CC01 ,  5H017CC28 ,  5H017DD08 ,  5H017EE01 ,  5H050AA07 ,  5H050AA19 ,  5H050BA13 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CA03 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB01 ,  5H050CB07 ,  5H050CB11 ,  5H050CB14 ,  5H050CB29 ,  5H050DA09 ,  5H050DA10 ,  5H050DA18 ,  5H050EA08 ,  5H050FA13 ,  5H050FA17 ,  5H050FA18 ,  5H050GA02 ,  5H050GA22 ,  5H050GA24 ,  5H050HA12