Pat
J-GLOBAL ID:201303049864416567
グラフェン膜、グラフェン膜の製造方法、グラフェンデバイス、およびグラフェンデバイスの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
内藤 浩樹
, 永野 大介
, 藤井 兼太郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2012005791
Publication number (International publication number):2013144621
Application date: Jan. 16, 2012
Publication date: Jul. 25, 2013
Summary:
【課題】様々な遷移金属を用いた触媒金属表面上に形成したグラフェンのドメインが均一であるかドメイン境界があるかという個々の結果は得られている。グラフェンを用いたデバイスの性能を向上させるためには、グラフェン膜のドメインの均一性を制御する必要がある。しかしながら、グラフェン膜のドメインの均一性を制御する指針が存在しないという課題を有していた。【解決手段】本発明のグラフェン膜は、基板3と、基板3上に配置された触媒金属2と、触媒金属2上に配置されたグラフェン1とを備え、触媒金属2がオスミウムである。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板と、
前記基板上に配置された触媒金属と、
前記触媒金属上に配置されたグラフェンとを備え、
前記触媒金属がオスミウムである、グラフェン膜。
IPC (2):
FI (3):
C01B31/02 101Z
, H01L21/28 301R
, H01L21/28 301B
F-Term (19):
4G146AA01
, 4G146AA16
, 4G146AB07
, 4G146AD28
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC42
, 4G146BC43
, 4G169AA03
, 4G169BB02A
, 4G169BB02B
, 4G169BC73A
, 4G169BC73B
, 4G169CB81
, 4M104AA10
, 4M104BB04
, 4M104CC01
, 4M104DD68
, 4M104HH15
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