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J-GLOBAL ID：201303053120866839
イオン性カードラン誘導体および該カードラン誘導体と疎水性高分子から成る複合体
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 知
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007048690
Publication number (International publication number)：2008208294
Patent number：5112716
Application date： Feb. 28, 2007
Publication date： Sep. 11, 2008
Claim (excerpt)：
【請求項1】 下記の化学式1(式中、Rはカチオン性置換基またはアニオン性置換基であるイオン性置換基を表わす)で示される繰り返し単位から成るカードラン誘導体であって、Rで表されるカチオン性置換基が、4級アンモニウム基であるトリメチルアンモニウム基-N+(CH3)3もしくはトリエチルアンモニウム基-N+(C2H5)3であるか、または、Rで表されるアニオン性置換基が、硫酸基-SO3-、リン酸基-PO3-もしくはカルボン酸基-CO2-であることを特徴とするカードラン誘導体。
IPC (1)：
FI (1)：
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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