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J-GLOBAL ID：201303054121017963

フレキシブルデバイスの製造方法

Inventor：
田中 裕司

About 田中 裕司

, 
奥本 健二

About 奥本 健二


Applicant, Patent owner：
パナソニック株式会社

About パナソニック株式会社


Agent (4)： 中島 司朗 ,  小林 国人 ,  川畑 孝二 ,  木村 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011286397
Publication number (International publication number)：2013135181
Application date： Dec. 27, 2011
Publication date： Jul. 08, 2013
Summary：
【課題】支持基板とフレキシブルフィルムとを分離する工程において、レーザー光照射による電子素子の損傷を抑制する。【解決手段】支持基板13上に接着層14を形成する接着層工程と、支持基板13上にフレキシブルフィルム11を形成するフレキシブルフィルム形成工程と、フレキシブルフィルム11上に電子素子12を形成する電子素子形成工程と、接着層14にレーザー光15を照射することにより、支持基板13とフレキシブルフィルム11とを分離する分離工程とを含み、接着層形成工程において、接着層14は電子素子12の形成が予定された領域(Y)に対応する支持基板13上の領域外の周縁領域に形成され、フレキシブルフィルム形成工程において、フレキシブルフィルム11は接着層14が形成された領域よりも広範に形成される。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
支持基板上に接着層を形成する接着層形成工程と、 前記接着層が形成された支持基板上にフレキシブルフィルムを形成するフレキシブルフィルム形成工程と、 前記フレキシブルフィルム上に電子素子を形成する電子素子形成工程と、 前記接着層にレーザー光を照射し、前記支持基板と前記フレキシブルフィルムとの間の密着性をレーザー光照射前よりも低下させることにより、前記支持基板と前記フレキシブルフィルムとを分離する分離工程と、を含み、 前記接着層形成工程において、前記接着層は、前記電子素子の形成が予定された領域に対応する前記支持基板上の領域外の周縁領域に形成され、 前記フレキシブルフィルム形成工程において、前記フレキシブルフィルムは前記接着層が形成された領域よりも広範に形成される、 フレキシブルデバイスの製造方法。
IPC (7)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/02
FI (7)：
H01L29/78 626C ,  H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L29/78 618B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/02
F-Term (28)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107DD16 ,  3K107DD17 ,  3K107FF01 ,  3K107FF15 ,  3K107GG06 ,  3K107GG12 ,  3K107GG14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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