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J-GLOBAL ID：201303054757867053

希土類ガーネット・シンチレータおよびその製造方法

Inventor：
ハオチュアン・チャン

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アナント・アチュット・セトラー

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ロバート・ジョセフ・リオンズ

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ケビン・アラン・デイビッド

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ジェームズ・エドワード・マーフィー

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Applicant, Patent owner：
ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

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Agent (4)： 荒川 聡志 ,  小倉 博 ,  黒川 俊久 ,  田中 拓人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013086181
Publication number (International publication number)：2013227575
Application date： Apr. 17, 2013
Publication date： Nov. 07, 2013
Summary：
【課題】残光が少なく、効率が改善され、放射線下の安定性が高く、望ましいX線阻止能を有するシンチレータを提供。【解決手段】(Gd1-x-y-zYxAyCez)3+u(Ga1-m-nAlmDn)5-uO12:wFOで表されるガーネット構造を伴う発光物質。[ここで、Aはルテチウム、ランタン、テルビウム、ジスプロシウム、またはそれらの組み合わせであり、Dはインジウム、スカンジウム、またはそれらの組み合わせであり、Fは二価イオンであり、0≦x<0.2、0<y<0.5、0.001<z<0.05、0<u<0.1、0≦n<0.2、0.3<m<0.6、および10ppm≦w≦300ppmであり、ならびにy/x>1である。]【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ガーネット構造を伴う発光物質であって、 ガドリニウム、イットリウム、セリウム、ガリウム、およびアルミニウムを含み、 前記発光物質は、(Gd1-x-y-zYxyCez)3+u(Ga1-m-nAlmDn)5-uO12:wFOで表され、 Aはルテチウム、ランタン、テルビウム、ジスプロシウム、またはそれらの組み合わせであり、 Dインジウム、スカンジウム、またはそれらの組み合わせであり、 Fは二価イオンであり、 0≦x<0.2、0<y<0.5、0.001<z<0.05、0<u<0.1、0≦n<0.2、0.3<m<0.6、および10ppm≦w≦300ppmであり、ならびに、 y/x>1である発光物質。
IPC (6)：
C09K 11/80 ,  C09K 11/08 ,  G01T 1/20 ,  G01T 1/202 ,  G21K 4/00 ,  H01L 31/09
FI (6)：
C09K11/80 ,  C09K11/08 B ,  G01T1/20 B ,  G01T1/202 ,  G21K4/00 B ,  H01L31/00 A
F-Term (37)：
2G083AA04 ,  2G083CC02 ,  2G083DD02 ,  2G083EE08 ,  2G188AA02 ,  2G188AA25 ,  2G188BB02 ,  2G188BB04 ,  2G188BB05 ,  2G188CC09 ,  2G188CC22 ,  2G188DD02 ,  2G188DD41 ,  4H001CA02 ,  4H001CF02 ,  4H001XA13 ,  4H001XA21 ,  4H001XA31 ,  4H001XA39 ,  4H001XA49 ,  4H001XA57 ,  4H001XA64 ,  4H001XA65 ,  4H001XA66 ,  4H001XA71 ,  4H001YA08 ,  4H001YA20 ,  4H001YA25 ,  4H001YA38 ,  4H001YA56 ,  4H001YA58 ,  4H001YB20 ,  5F088BA07 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088JA17 ,  5F088LA08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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