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J-GLOBAL ID：201303058776438657

光検出素子及び光検出方法

Inventor： 佐藤 大典 ,  岡田 至崇 ,  八木 修平
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (2)： 山本 典輝 ,  岸本 達人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011263335
Publication number (International publication number)：2013115405
Application date： Dec. 01, 2011
Publication date： Jun. 10, 2013
Summary：

【課題】故障し難く小型化することが可能な光検出素子及び該光検出素子を用いる光検出方法を提供する。【解決手段】光吸収層及び該光吸収層に隣接する量子構造部と、光吸収層に接続された第1電極と、量子構造部に接続された第2電極とを有し、量子構造部は、量子井戸層及び該量子井戸層を挟む障壁層を有し、障壁層の伝導帯端は光吸収層の伝導帯端よりも高エネルギーであり、障壁層の伝導帯端と光吸収層の伝導帯端とのエネルギー差は、0.58eVよりも大きく、量子井戸層の伝導帯側に形成された量子準位は光吸収層の伝導帯端よりも高エネルギーであり、量子準位と光吸収層の伝導帯端とのエネルギー差は電子が受け取る熱エネルギーよりも大きい光検出素子とし、該光検出素子を用いて光検出素子へと入射した光により生じた電流電圧特性を得る工程と、得られた電流電圧特性を用いて入射した光の波長及び強度を同定する工程と、を有する光検出方法とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

光を吸収して電子及び正孔を生成する光吸収層と、該光吸収層に隣接する量子構造部と、前記光吸収層に接続された第1電極と、前記量子構造部に接続された第2電極と、を有し、 前記量子構造部は、量子井戸層、及び、該量子井戸層と前記第1電極及び前記第2電極との間に配設された障壁層を有し、 前記障壁層の伝導帯端は、前記光吸収層の伝導帯端よりも高エネルギーであり、 前記障壁層の伝導帯端と前記光吸収層の伝導帯端とのエネルギー差は、0.58eVよりも大きく、 前記量子井戸層の伝導帯側に形成された量子準位は、前記光吸収層の伝導帯端よりも高エネルギーであり、 前記量子準位と前記光吸収層の伝導帯端とのエネルギー差は、電子が受け取る熱エネルギーよりも大きいことを特徴とする、光検出素子。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  G01J 9/00

FI (2)：

H01L31/10 A ,  G01J9/00

F-Term (11)：

2G065AA04 ,  2G065BA09 ,  5F049MA01 ,  5F049MB07 ,  5F049NA07 ,  5F049NA19 ,  5F049PA04 ,  5F049QA02 ,  5F049QA16 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04