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J-GLOBAL ID：201303058841452379

半導体装置の製造方法

Inventor： 工藤 和久 ,  矢野 正樹 ,  小西 敏文 ,  亀井 敏和 ,  松島 隆明 ,  町田 克之
Applicant, Patent owner： エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
Agent (2)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010085893
Publication number (International publication number)：2011216812
Patent number：5197670
Application date： Apr. 02, 2010
Publication date： Oct. 27, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】複数の顧客による各々異なる半導体集積回路が共同で作製された半導体基板の上に配線層を備える第1LSIチップ領域および第2LSIチップ領域を作製する工程と、 前記第1LSIチップ領域以外の領域の前記配線層を除去してブラインド領域を形成する工程と を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01) ,  H01L 21/02 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 21/88 Z ,  H01L 21/02 Z