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J-GLOBAL ID:201303059619169584

硫化物固体電解質材料の製造方法、および、硫化物固体電解質材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 山下 昭彦 ,  岸本 達人 ,  山本 典輝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011173096
Publication number (International publication number):2013037897
Application date: Aug. 08, 2011
Publication date: Feb. 21, 2013
Summary:
【課題】本発明は、Liイオン伝導性が高く、硫化水素発生量が極めて少ない硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、M1元素(例えばLi元素)、M2元素(例えばGe元素)、P元素およびS元素を含有し、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、上記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が0.50未満である硫化物固体電解質材料の製造方法であって、原料組成物におけるP2S5の割合を多くすることを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
M1元素、M2元素、P元素およびS元素を含有し、前記M1は、Li、Na、K、Mg、Ca、Znからなる群から選択される少なくとも一種であり、かつ、少なくともLiを含み、前記M2は、P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nbからなる群から選択される少なくとも一種であり、かつ、少なくとも四価の元素を含み、CuKα線を用いたX線回折測定における2θ=29.58°±0.50°の位置にピークを有し、前記2θ=29.58°±0.50°のピークの回折強度をIAとし、2θ=27.33°±0.50°のピークの回折強度をIBとした場合に、IB/IAの値が1以下である硫化物固体電解質材料の製造方法であって、 Li2S、P2S5、前記四価の元素の単体または硫化物を少なくとも含有する原料組成物を用いて、非晶質化したイオン伝導性材料を合成するイオン伝導性材料合成工程と、 前記イオン伝導性材料に対して、前記IB/IAの値が得られるように加熱を行う加熱工程とを有し、 前記原料組成物におけるP2S5の割合が、一般式M1(4-x)M2(1-x)PxS4(xは、0<x<1を満たす)から求められる化学量論比よりも多く、 前記原料組成物におけるP2S5以外の原料の割合が、前記一般式から求められる化学量論比と同じであることを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。
IPC (4):
H01B 13/00 ,  H01M 10/056 ,  H01B 1/06 ,  C01B 25/08
FI (4):
H01B13/00 Z ,  H01M10/00 107 ,  H01B1/06 A ,  C01B25/08 Z
F-Term (18):
5G301CA05 ,  5G301CA12 ,  5G301CA15 ,  5G301CA16 ,  5G301CA17 ,  5G301CA18 ,  5G301CA23 ,  5G301CA25 ,  5G301CA27 ,  5G301CA28 ,  5G301CD01 ,  5H029AJ06 ,  5H029AJ12 ,  5H029AM12 ,  5H029CJ02 ,  5H029HJ01 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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