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J-GLOBAL ID：201303062114147609

透明導電積層体付基板及びその製造方法

Inventor： 中村 崇 ,  大塚 誠 ,  ボイジン アラベナ レアンドロ アンドレス
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (1)： 特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2011051325
Publication number (International publication number)：WO2011093274
Application date： Jan. 25, 2011
Publication date： Aug. 04, 2011
Summary：

基板の表面上に酸化インジウムを含有する透明導電積層体が形成された透明導電積層体付基板であって、前記透明導電積層体は、酸化インジウム含有量が80〜98質量%である第一の透明導電膜と前記第一の透明導電膜の表面上に積層された酸化インジウムの含有量が45〜75質量%である第二の透明導電膜とを備え、且つ、前記第一の透明導電膜及び前記第二の透明導電膜が酸化インジウム結晶と同等の結晶構造を持つ結晶を有していることを特徴とする透明導電積層体付基板。

Claim (excerpt)：

基板の表面上に酸化インジウムを含有する透明導電積層体が形成された透明導電積層体付基板であって、 前記透明導電積層体は、酸化インジウム含有量が80〜98質量%である第一の透明導電膜と前記第一の透明導電膜の表面上に積層された酸化インジウムの含有量が45〜75質量%である第二の透明導電膜とを備え、且つ、前記第一の透明導電膜及び前記第二の透明導電膜が酸化インジウム結晶と同等の結晶構造を持つ結晶を有している透明導電積層体付基板。

IPC (8)：

H01B 5/14 ,  H01B 13/00 ,  C01G 19/00 ,  C01G 49/00 ,  C01G 23/04 ,  C01G 30/00 ,  B32B 7/02 ,  B32B 9/00

FI (8)：

H01B5/14 A ,  H01B13/00 503B ,  C01G19/00 A ,  C01G49/00 A ,  C01G23/04 C ,  C01G30/00 ,  B32B7/02 104 ,  B32B9/00 A

F-Term (63)：

4F100AA17A ,  4F100AA17B ,  4F100AA19C ,  4F100AA21C ,  4F100AA23C ,  4F100AA25C ,  4F100AA27C ,  4F100AA28C ,  4F100AA29C ,  4F100AA33C ,  4F100AB02C ,  4F100AB10C ,  4F100AB11C ,  4F100AB12C ,  4F100AB15C ,  4F100AB17C ,  4F100AB18C ,  4F100AB19C ,  4F100AB20C ,  4F100AB21C ,  4F100AB24C ,  4F100AG00 ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100BA13 ,  4F100GB41 ,  4F100JA11B ,  4F100JA11C ,  4F100JG01B ,  4F100JG01C ,  4F100JG04 ,  4F100JN01 ,  4F100JN01B ,  4F100JN01C ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4G002AA06 ,  4G002AB01 ,  4G002AD04 ,  4G002AE05 ,  4G047CA05 ,  4G047CB04 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC04 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BB01 ,  5G323BB02 ,  5G323BB03 ,  5G323BB04 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03