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J-GLOBAL ID：201303062280151207

結晶性化合物及びこれを用いた可変抵抗素子並びに電子デバイス

Inventor： 富永 淳二 ,  フォンス ポール ,  コロボフ アレクサンダー
Applicant, Patent owner： エルピーダメモリ株式会社
Agent (4)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文 ,  黒瀬 泰之 ,  三谷 拓也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011187161
Publication number (International publication number)：2013051245
Application date： Aug. 30, 2011
Publication date： Mar. 14, 2013
Summary：

【課題】磁気抵抗効果の大きい新たな可変抵抗素子を提供する。【解決手段】本発明による可変抵抗素子は、次の3つの特徴を備えた結晶性化合物を含む。第1の特徴は、トポロジカル誘電体特性を示すことにより、伝導帯と価電子帯がディラックコーンを形成する点である。第2の特徴は、ディラックコーンを構成する伝導帯の谷と価電子帯の山との間に、バンドギャップが形成される点である。第3の特徴は、異なるスピンが入る二つのバンドがΓポイントを中心に時間反転対称を持つことである。これら3つの特徴を全て備えることにより、著しい磁気抵抗効果が発現する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

トポロジカル誘電体特性を示す結晶性化合物であって、自発的な電子スピンの解離によって逆格子空間内の一点において伝導帯の谷と価電子帯の山との間にバンドギャップが形成されており、且つ、自発的な電子スピンの解離によって異なるスピンが入る二つのバンドが前記一点を中心に時間反転対称をもって存在することを特徴とする結晶性化合物。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82

FI (3)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z

F-Term (14)：

4M119AA11 ,  4M119AA15 ,  4M119CC01 ,  4M119CC09 ,  4M119DD02 ,  4M119JJ03 ,  5F092AA02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC07 ,  5F092AD03 ,  5F092AD21 ,  5F092BB46 ,  5F092BB55 ,  5F092BC13