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J-GLOBAL ID：201303063682972548

有機薄膜光電変換素子及びその製造方法

Inventor： 平出 雅哉 ,  安達 千波矢 ,  中田 安一
Applicant, Patent owner： 技術研究組合BEANS研究所 ,  国立大学法人九州大学 ,  パナソニック株式会社 ,  リンテック株式会社
Agent (2)： 大谷 保 ,  片岡 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011177777
Publication number (International publication number)：2013041983
Application date： Aug. 15, 2011
Publication date： Feb. 28, 2013
Summary：

【課題】有機薄膜光電変換素子内の励起子の失活を抑制し、発電変換効率の高い有機薄膜光電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】透明基板、電極(陽極)、陽極側励起子ブロッキング層、p型有機半導体層、n型有機半導体層及び電極(陰極)を積層してなる有機薄膜光電変換素子であって、前記陽極側励起子ブロッキング層の配向秩序パラメータ(S)が、-0.5≦S≦-0.1であることを特徴とする有機薄膜光電変換素子、及び前記電極(陽極)と前記p型有機半導体層を形成する工程間に、前記陽極側励起子ブロッキング層を形成する工程を有する有機薄膜光電変換素子の製造方法である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

透明基板、電極(陽極)、陽極側励起子ブロッキング層、p型有機半導体層、n型有機半導体層及び電極(陰極)を積層してなる有機薄膜光電変換素子であって、 前記陽極側励起子ブロッキング層の下記式(1)で表される配向秩序パラメータ(S)が、-0.5≦S≦-0.1であることを特徴とする有機薄膜光電変換素子。

IPC (1)：

H01L 51/42

FI (1)：

H01L31/04 D

F-Term (6)：

5F151AA11 ,  5F151CB14 ,  5F151DA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03