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J-GLOBAL ID：201303063711695559

炭素薄膜成膜方法

Inventor： 中尾 節男 ,  池山 雅美 ,  行村 建 ,  小木曽 久人 ,  中野 禅
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011187700
Publication number (International publication number)：2013049885
Application date： Aug. 30, 2011
Publication date： Mar. 14, 2013
Summary：

【課題】水素フリーで緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボン膜を容易に形成することができる炭素薄膜成膜法を提供する。【解決手段】この炭素被膜成膜方法は、マグネトロンスパッタ法により試料基板電極上に配置された試料基板表面に炭素被膜を堆積させる炭素被膜成膜装置を用い、炭素ターゲット基板電極と試料電極に対し、下記1〜4の条件でそれぞれ電圧を印加させることを特徴とする。 1.ターゲット基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が40%以下であること。 2.ターゲット基板電極に印加するパルス電圧のパルス時間が20μs〜200μsであること。 3.試料基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が50%以下であること。 4.試料基板電極に印加する負パルス電圧の大きさが-20V〜-200Vであること。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

真空容器内にターゲット基板電極と試料基板電極が所定の間隔をおいて離間配置され、真空容器内に所定の気体を導入し、ターゲット基板電極に電圧を印加することによりターゲット基板電極上に配置した炭素ターゲット基板近傍にプラズマを発生させ、プラズマスパッタ法により試料基板電極上に配置された試料基板表面に炭素被膜を堆積させる炭素被膜成膜装置を用い、炭素ターゲット基板電極と試料電極に対し、下記の条件でそれぞれ電圧を印加させることを特徴とする炭素被膜成膜方法。 1.ターゲット基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が40%以下であること。 2.ターゲット基板電極に印加するパルス電圧のパルス時間が20μs〜200μsであること。 3.試料基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が50%以下であること。 4.試料基板電極に印加する負パルス電圧の大きさが-20V〜-200Vであること。

IPC (4)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/314

FI (4)：

C23C14/06 F ,  C23C14/34 R ,  H01L21/203 S ,  H01L21/314 A

F-Term (20)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA34 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA13 ,  4K029DC02 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029EA00 ,  5F058BA12 ,  5F058BC14 ,  5F058BD18 ,  5F058BF12 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH03 ,  5F103NN03