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J-GLOBAL ID：201303064258168964

ウエハ切断方法および装置

Inventor： 山本 昌裕
Applicant, Patent owner： パナソニック株式会社
Agent (3)： 内藤 浩樹 ,  永野 大介 ,  藤井 兼太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011274165
Publication number (International publication number)：2013124206
Application date： Dec. 15, 2011
Publication date： Jun. 24, 2013
Summary：

【課題】狙い通りの厚みで切断し、切断に際して生じる切り代を低減することができるウエハ切断方法および切断装置を提供する。【解決手段】シリコンのインゴット1を準備し、レーザ光2を加工する面に垂直方向から照射することによりシリコン結晶内部にアモルファス層3を形成する。つづいて、レーザ光2を照射した方向と同じ方向から水素イオンを照射すると、イオン照射後に、水素によって形成される脆弱層から剥離が生じる。入射イオンのドーズ量が低い場合には,処理後に、ランプヒータなどにより再加熱を行い、ヒートショックを与えることによって剥離を促進することもできる。最後に、切り出したウエハ5を取り出す。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

結晶に粒子を照射しウエハを切り出す方法であって、 前記結晶の表面にレーザを照射し、前記結晶の内部にアモルファスの層を形成するレーザ照射工程と、 前記結晶の表面に、原子、イオン、ラジカルのいずれか1つ、または、これらを組み合わせた粒子を照射し、前記アモルファスの層に前記粒子を吸収させる粒子照射工程と を含むことを特徴としたウエハ切断方法。

IPC (5)：

C30B 33/00 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/12

FI (5)：

C30B33/00 ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40 ,  B23K26/00 H ,  B23K26/12

F-Term (14)：

4E068AA01 ,  4E068AE00 ,  4E068CE08 ,  4E068CJ01 ,  4E068DA09 ,  4E068DA10 ,  4E068DB11 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077FE20 ,  4G077FG02 ,  4G077FG20 ,  4G077FH08 ,  4G077HA12