Pat

J-GLOBAL ID：201303065361281902

シリコンウェーハの製造方法

Inventor： 南 俊郎 ,  鹿島 一日児 ,  日笠 光朗 ,  前田 進
Applicant, Patent owner： グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
Agent (2)： 木下 茂 ,  石村 理恵
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012007992
Publication number (International publication number)：2013163598
Application date： Jan. 18, 2012
Publication date： Aug. 22, 2013
Summary：

【課題】熱処理時間が短時間であっても表層部においては無欠陥層を形成することができ、バルク部においてはBMD密度を高めることができ、ウェーハの表層部の酸素濃度の低下を抑制できるシリコンウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】シリコン融液に窒素を添加し、水素ガス添加した不活性ガス雰囲気中で、空孔型点欠陥が存在する領域が形成されるようにV/G(V:引上速度、G:シリコン単結晶の引上軸方向の温度勾配)を制御し、酸素濃度が1.0×1018〜1.8×1018atoms/cm3、窒素濃度が2.8×1014〜5.0×1015atoms/cm3であるシリコン単結晶を育成する工程と、前記育成されたシリコン単結晶を切断、平坦化、鏡面研磨処理する工程と、前記鏡面研磨処理されたシリコンウェーハを酸化性ガス雰囲気中、1250°C〜1380°Cの最高到達温度で1秒〜60秒間保持する急速昇降温熱処理を行う工程を備える。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

シリコン融液に窒素を添加するチョクラルスキー法により、水素ガスを添加した不活性ガス雰囲気中で、空孔型点欠陥が存在する領域が形成されるようにV/G(V:引上速度、G:シリコン単結晶の引上軸方向の温度勾配)を制御し、酸素濃度が1.0×1018〜1.8×1018atoms/cm3であり、窒素濃度が2.8×1014〜5.0×1015atoms/cm3であるシリコン単結晶を育成する工程と、 前記育成されたシリコン単結晶を切断してシリコンウェーハとした後、平坦化処理し、かつ、鏡面研磨処理する工程と、 前記鏡面研磨処理されたシリコンウェーハに対して、酸化性ガス雰囲気中、1250°C〜1380°Cの最高到達温度で1秒〜60秒間保持する急速昇降温熱処理を行う工程と、 を備えることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/06 ,  C30B 33/02

FI (3)：

C30B29/06 502K ,  C30B33/02 ,  C30B29/06 502J

F-Term (16)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EB04 ,  4G077EG20 ,  4G077EH09 ,  4G077FE03 ,  4G077FE13 ,  4G077PA03 ,  4G077PA10 ,  4G077PF17 ,  4G077PF35