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J-GLOBAL ID：201303065425743760

単一またはいくつかの層のグラフェン・ベースの光検出デバイスおよびその形成方法

Inventor： シア・フェンニアン ,  アヴォリス・フェドン ,  ミュラー・トーマス ,  リン・ユミン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (3)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2012526004
Publication number (International publication number)：2013502735
Application date： Aug. 17, 2010
Publication date： Jan. 24, 2013
Summary：

【課題】単一または多層のグラフェンが光伝導層である光検出デバイスを提供する。【解決手段】光検出層として単一または多層グラフェンを用いる光検出器を開示する。異なる電極構成を有する多数の実施形態を開示する。更に、撮像および監視等の用途のために、多数の光検出要素を含む光検出器アレイを開示する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

a.基板(10、34)と、 b.前記基板上に堆積されたゲート酸化物層(12)と、 c.前記ゲート酸化物層上に堆積されたグラフェンのチャネル層(14、38)と、 d.前記グラフェン層上に配置されたソースおよびドレイン接点領域(6、8、30、32、60〜67)と、 を含む、光検出デバイス。

IPC (1)：

H01L 31/10

FI (1)：

H01L31/10 E

F-Term (23)：

2G065AB02 ,  2G065AB03 ,  2G065AB04 ,  2G065AB05 ,  2G065BA02 ,  2G065BA34 ,  2G065BB04 ,  2G065BE08 ,  2G065DA13 ,  2G065DA18 ,  2G065DA20 ,  5F049MA14 ,  5F049MB02 ,  5F049NA10 ,  5F049NB05 ,  5F049QA09 ,  5F049QA20 ,  5F049RA04 ,  5F049SS03 ,  5F049SS08 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• "Photocurrent Imaging and Efficient Photon Detection in a Graphene Transistor"
• "Role of contacts in graphene transistors: A scanning photocurrent study"
• "Graphene bilayer field-effect phototransistor for terahertz and infrared detection"