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J-GLOBAL ID：201303066547991841

レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法、並びにパターン形成方法

Inventor： 中藤 慎也 ,  村上 暁 ,  滝本 嘉夫 ,  元成 正之
Applicant, Patent owner： JSR株式会社
Agent (10)： 天野 一規 ,  藤本 勝誠 ,  池田 義典 ,  小川 博生 ,  加藤 早苗 ,  石田 耕治 ,  各務 幸樹 ,  根木 義明 ,  新庄 孝 ,  川端 和也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012182784
Publication number (International publication number)：2013083939
Application date： Aug. 21, 2012
Publication date： May. 09, 2013
Summary：

【課題】本発明の目的は、レジスト下層膜に求められる屈折率及び減衰係数についての特性を満たすと共に、形成されるレジスト下層膜パターンの高い曲がり耐性を維持しつつ、高い耐熱性を有するレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法、並びにパターン形成方法を提供することである。【解決手段】本発明は、[A]下記式(1)で表される構造単位(I)を有する重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式(1)中、Ar1及びAr2は、それぞれ独立して、下記式(2)で表される2価の基である。下記式(2)中、R1及びR2は、それぞれ独立して、2価の芳香族基である。R3は、単結合、-O-、-CO-、-SO-又は-SO2-である。aは、0〜3の整数である。但し、aが2以上の場合、複数のR2及びR3は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

[A]下記式(1)で表される構造単位(I)を有する重合体 を含有するレジスト下層膜形成用組成物。

IPC (4)：

G03F 7/11 ,  H01L 21/027 ,  C08G 61/00 ,  C08L 65/00

FI (4)：

G03F7/11 503 ,  H01L21/30 573 ,  C08G61/00 ,  C08L65/00

F-Term (54)：

2H125AE04N ,  2H125AF17P ,  2H125AF27N ,  2H125AF35P ,  2H125AF36N ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH24 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AM61N ,  2H125AN39P ,  2H125AN42N ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN82P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CD08N ,  2H125CD39 ,  2H125DA21 ,  2H125FA03 ,  4J002CE001 ,  4J002EE036 ,  4J002EU108 ,  4J002EV257 ,  4J002FD148 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002GP03 ,  4J002HA05 ,  4J032CA04 ,  4J032CA12 ,  4J032CA14 ,  4J032CB04 ,  4J032CB05 ,  4J032CB12 ,  4J032CC01 ,  4J032CD02 ,  4J032CD08 ,  4J032CE03 ,  4J032CE17 ,  4J032CE20 ,  4J032CG08 ,  5F146NA01 ,  5F146NA14 ,  5F146NA18