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J-GLOBAL ID：201303068352353290

AEセンサの製造方法およびこれによって製造されたAEセンサ

Inventor： 武藤 一夫 ,  川島 貴弘 ,  柴田 隆行 ,  永井 萌土
Applicant, Patent owner： 武藤 一夫 ,  川島 貴弘 ,  柴田 隆行
Agent (5)： 森 哲也 ,  小西 恵 ,  田中 秀▲てつ▼ ,  廣瀬 一 ,  宮坂 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012057883
Publication number (International publication number)：2013190362
Application date： Mar. 14, 2012
Publication date： Sep. 26, 2013
Summary：

【課題】目的とするカンチレバーあるいは両端固定梁形状(断面形状)を精度よく作製し得るAEセンサの製造方法を提供する。【解決手段】このAEセンサ10の製造方法は、SOI(Silicon on Insulator)基板4を使って複数のカンチレバー1をシリコン基板4上にアレイにて作製するので、デバイス層のシリコン厚さがそのまま一様なカンチレバー1の厚さになり、また、ドライエッチング技術の転写精度を使っているので、相対的に精度良くカンチレバーあるいは両端固定梁形状(断面形状)を作製することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

互いに異なる共振周波数を有する複数のカンチレバー(片持ち梁)あるいは両端支持梁をシリコン基板上にアレイにて配置するとともに、各梁の根元部にピエゾ抵抗素子をそれぞれ形成することで振動の周波数に応じて共振する梁の変位からアコースティック・エミッションを検出するAEセンサを製造する方法であって、 SOI基板を用いてそのデバイス層側の面にピエゾ抵抗素子となる領域を形成するピエゾ抵抗素子形成工程と、前記梁となる部分を前記ピエゾ抵抗素子となる領域を含みデバイス層側からドライエッチング(DRIE)あるいは結晶異方性を利用したウェットエッチングにより形成する梁構造形成工程と、前記SOI基板をハンドル層側からBOX層まで前記エッチングをして前記梁となる部分を自立させる梁構造自立工程とを含むことを特徴とするAEセンサの製造方法。

IPC (1)：

G01N 29/14

FI (1)：

G01N29/14

F-Term (4)：

2G047AA05 ,  2G047BA04 ,  2G047BA05 ,  2G047CA03