Pat

J-GLOBAL ID：201303068437051404

細菌の増殖を制御する化合物及びその応用

Inventor： 野村 暢彦 ,  内山 裕夫 ,  豊福 雅典
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 筑波大学
Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  木元 克輔
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008066616
Publication number (International publication number)：2009220007
Patent number：5170403
Application date： Mar. 14, 2008
Publication date： Oct. 01, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 硝酸イオン及び/又は亜硝酸イオンを含有する排水を脱窒する排水処理装置において、 導入された排水中の硝酸イオン及び/又は亜硝酸イオンを脱窒菌により亜酸化窒素及び/又は窒素に還元処理する脱窒槽と、 前記脱窒槽内に脱窒菌の増殖抑制剤である三価の鉄イオンのキレート剤を供給する三価の鉄イオンのキレート剤供給手段と を備えることを特徴とする排水処理装置であって、 前記三価の鉄イオンのキレート剤が2-ヘプチル-3-ヒドロキシ-4-キノロンである、排水処理装置。

IPC (8)：

C02F 3/34 ( 200 6.01) ,  C02F 3/28 ( 200 6.01) ,  C02F 3/00 ( 200 6.01) ,  C02F 1/50 ( 200 6.01) ,  A01N 43/40 ( 200 6.01) ,  A01N 43/42 ( 200 6.01) ,  A01P 3/00 ( 200 6.01) ,  C12N 15/09 ( 200 6.01)

FI (14)：

C02F 3/34 101 B ,  C02F 3/34 101 A ,  C02F 3/28 ZNA A ,  C02F 3/00 D ,  C02F 3/00 G ,  C02F 1/50 520 P ,  C02F 1/50 532 C ,  C02F 1/50 532 D ,  C02F 1/50 532 L ,  C02F 1/50 560 H ,  A01N 43/40 101 M ,  A01N 43/42 101 ,  A01P 3/00 ,  C12N 15/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 排水処理のプロセスおよび装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-552410   Applicant：インバイロンメンタルオペレイティングソリューションズインコーポレイテッド
• 感染性細菌における自己溶解を誘導するための方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-505619   Applicant：ハプトゲンリミテッド
• 特表平4-500302