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J-GLOBAL ID：201303068770030376

改善された抽出効率を持つ発光装置

Inventor： ガードナー ネイザン フレドリック ,  エプラー ジョン エドワード ,  マクローリン メルヴィン バーカー ,  キャムラス マイケル デヴィッド ,  ダヴィッド オーレリアン ジャン フランソワ ,  ゲッツ ヴァーナー カール ,  グルンドマン マイケル ジェイソン
Applicant, Patent owner： コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ
Agent (2)： 津軽 進 ,  笛田 秀仙
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2013535581
Publication number (International publication number)：2013541221
Application date： Nov. 01, 2011
Publication date： Nov. 07, 2013
Summary：

本発明の実施例においては、n型領域とp型領域との間に配置されるIII族窒化物発光層を有する半導体構造が、基板上に成長させられる。前記基板は、III族窒化物ではない材料である。前記基板は、面内格子定数asubstrateを持つ。前記半導体構造内の少なくとも1つのIII族窒化物層は、バルク格子定数alayerを持ち、[(|asubstrate-alayer|)/asubstrate]*100%は、1%以下である。前記基板の、前記半導体構造が成長させられる面とは反対側の面は、テクスチャード加工される。

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板上に成長させられる半導体構造とを有する装置であり、前記半導体構造が、n型領域とp型領域との間に配置されるIII族窒化物発光層を有する装置であって、 前記基板が、III族窒化物ではない材料であり、

IPC (3)：

H01L 33/22 ,  H01L 33/12 ,  H01L 33/32

FI (3)：

H01L33/00 172 ,  H01L33/00 140 ,  H01L33/00 186

F-Term (9)：

5F141AA03 ,  5F141AA40 ,  5F141CA40 ,  5F141CA64 ,  5F141CA65 ,  5F141CA66 ,  5F141CA74 ,  5F141CB11 ,  5F141CB36