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J-GLOBAL ID：201303069665849951

半導体とその製造方法

Inventor： 三木 一司 ,  八木 修平 ,  日塔 光一 ,  坂本 邦博
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008530980
Patent number：5187761
Application date： Aug. 27, 2007
Claim (excerpt)：

【請求項1】元素半導体基板内に複数種の元素のドーパンドがドーピングされたドーピング層を有する半導体であって、ドーピングされている少なくとも2種類の元素は、その各々のドーパントの濃度半値幅が20nm以下で、かつ、相互の濃度ピーク位置のずれが2nm以内であり、前記2種類の元素はいずれも電気的あるいは光学的に活性であることを特徴とする半導体。

IPC (2)：

H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 29/16 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 21/203 Z ,  H01L 29/16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 特開平2-132823
  
• 結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-034541   Applicant：工業技術院長
• ドーパントをドーピングした半導体装置及びそのドーピング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-168677   Applicant：工業技術院長
• 量子演算素子および集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-223812   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体微細構造の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-330063   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開昭61-166081
  
• 化合物半導体結晶及びその成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-211953   Applicant：日立電線株式会社