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J-GLOBAL ID：201303072014543081

熱電変換素子及びその製造方法

Inventor： 隅野 真央 ,  安達 千波矢 ,  加藤 邦久
Applicant, Patent owner： 国立大学法人九州大学 ,  リンテック株式会社
Agent (1)： 有吉 修一朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011241393
Publication number (International publication number)：2013098422
Application date： Nov. 02, 2011
Publication date： May. 20, 2013
Summary：

【課題】高いパワーファクターを実現することが可能な熱電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】その表面にFDTS被膜6が形成されたガラス基板2の上層に、真空蒸着法によって膜厚が6nmのペンタセン薄膜3を成膜し、ペンタセン薄膜3の更に上層に真空蒸着法によって膜厚が2nmのF4-TCNQ薄膜4を成膜する。更に、F4-TCNQ薄膜4の上層には取り出し電極として膜厚が50nmのAu電極5を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

支持基板と、 該支持基板に設けられ、所定のキャリアを発生する機能を有する自己組織化単分子膜と、 該自己組織化単分子膜に隣接して設けられ、真性有機半導体材料から構成されると共に、前記自己組織化単分子膜から発生したキャリアが供給されるキャリア輸送層とを備える 熱電変換素子。

IPC (4)：

H01L 35/24 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00

FI (4)：

H01L35/24 ,  H01L35/32 A ,  H01L35/34 ,  H02N11/00 A