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J-GLOBAL ID：201303073973765081

温度分布型超伝導体テラヘルツ発振器および温度分布型超伝導体テラヘルツ発振器の製造方法

Inventor： 掛谷 一弘 ,  大向 勇太 ,  鈴木 実
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都大学
Agent (1)： ▲吉▼川 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012118983
Publication number (International publication number)：2013247472
Application date： May. 24, 2012
Publication date： Dec. 09, 2013
Summary：

【課題】単一の素子から複数の周波数のテラヘルツ波放射が可能であって、その周波数が制御可能な高温超伝導体テラヘルツ発振器および高温超伝導体テラヘルツ発振器を提供する。【解決手段】固有ジョセフソン接合を有する高温超伝導体BSCCOの単結晶10で形成され、ファブリペロー共振が励起される矩形メサ構造部12、および、矩形メサ構造部の上部に形成され、矩形メサ構造部に電力を供給し、メサ構造部から外部への熱拡散量を制御する金属電極22を備え、金属電極の面積を矩形メサ構造部の面積よりも小さくすることにより温度分布を不均一にし、発振周波数を定める空洞サイズを変化させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

固有ジョセフソン接合を有する高温超伝導体BSCCOの単結晶で形成され、ファブリペロー共振が励起される矩形メサ構造部、および、 前記矩形メサ構造部の上部に形成され、前記矩形メサ構造部に電力を供給し、前記メサ構造部から外部への熱拡散量を制御する金属電極を備え、 前記金属電極の面積を前記矩形メサ構造部の面積よりも小さくすることにより、前記矩形メサ構造部内の温度分布を不均一にし、発振周波数を定める空洞サイズを変化させることを特徴とする温度分布型超伝導体テラヘルツ発振器。

IPC (2)：

H03B 15/00 ,  H01L 39/22

FI (2)：

H03B15/00 ,  H01L39/22 A

F-Term (5)：

4M113AA00 ,  4M113AC13 ,  4M113BC04 ,  4M113CA35 ,  4M113CA42