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J-GLOBAL ID：201303075195004690

半導体装置の製造方法

Inventor： 福田 真大 ,  島宗 洋介
Applicant, Patent owner： 富士通セミコンダクター株式会社
Agent (1)： 服部 毅巖
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008275421
Publication number (International publication number)：2010103407
Patent number：5315922
Application date： Oct. 27, 2008
Publication date： May. 06, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】 第1半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、 前記ゲート電極両側の前記第1半導体層の一部を、ドライエッチングにより除去することによって、第1リセスを形成する工程と、 前記第1リセスの表層部を、前記第1半導体層の酸化剤と無機アルカリとを含むエッチング液を用いたウェットエッチングにより除去することによって、第2リセスを形成する工程と、 前記第2リセスに第2半導体層を形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/76 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/306 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (7)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 21/306 B ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-206910   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-161692   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-380619   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (3)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-206910   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-161692   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-380619   Applicant：富士通株式会社