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J-GLOBAL ID：201303075603363246

量子ドット担持多孔質n型半導体の製造方法、量子ドット担持多孔質n型半導体、量子ドット増感太陽電池用電極、および、量子ドット増感太陽電池

Inventor： 多田 弘明 ,  藤島 武蔵 ,  服部 孝徳 ,  森井 克行
Applicant, Patent owner： 株式会社日本触媒 ,  学校法人近畿大学
Agent (2)： 籾井 孝文 ,  吉田 昌靖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011179410
Publication number (International publication number)：2013042058
Application date： Aug. 19, 2011
Publication date： Feb. 28, 2013
Summary：

【課題】多孔質n型半導体上に半導体ナノ粒子である量子ドットが担持されている量子ドット担持多孔質n型半導体の製造方法であって、第16族元素を含む量子ドットについて効率よく制御して担持させることができる、量子ドット担持多孔質n型半導体の製造方法を提供する。また、そのような製造方法によって得られる量子ドット担持多孔質n型半導体、量子ドット増感太陽電池用電極、および、量子ドット増感太陽電池を提供する。【解決手段】多孔質n型半導体上に半導体ナノ粒子である量子ドットが担持されている量子ドット担持多孔質n型半導体の製造方法であって、多孔質n型半導体を第16族元素化合物含有溶液に浸漬させた状態で光照射する工程の後に、該工程で得られる第16族元素担持多孔質n型半導体を金属イオン含有溶液に浸漬させた状態で光照射する工程を行う。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

多孔質n型半導体上に半導体ナノ粒子である量子ドットが担持されている量子ドット担持多孔質n型半導体の製造方法であって、 多孔質n型半導体を第16族元素化合物含有溶液に浸漬させた状態で光照射する工程(I)の後に、 該工程(I)で得られる第16族元素担持多孔質n型半導体を金属イオン含有溶液に浸漬させた状態で光照射する工程(II)を行う、 量子ドット担持多孔質n型半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (2)：

H01L31/04 E ,  H01M14/00 P

F-Term (10)：

5F151AA07 ,  5F151DA13 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032CC11 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE08