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J-GLOBAL ID:201303075736602812

半導体粒子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 山本 典輝 ,  山下 昭彦 ,  岸本 達人
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011126017
Publication number (International publication number):2012250889
Application date: Jun. 06, 2011
Publication date: Dec. 20, 2012
Summary:
【課題】組成が均一であり且つ安価に製造することが可能な、半導体粒子及びその製造方法を提供する。【解決手段】銅イオン源と、亜鉛イオン源と、錫イオン源と、イオン同士の結合反応を抑制する配位子と、水とを混合して、カチオン混合液を作製するカチオン混合液作製工程と、作製したカチオン混合液と、硫黄イオン源とを混合して、前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、作製した前駆体溶液を容器に入れ、前駆体溶液が収容された容器を密閉する密閉工程と、密閉された容器内で水熱合成反応を生じさせる水熱合成反応工程と、を有する半導体粒子の製造方法とし、X線回折で単一相のピークが観察され、且つ、一次粒子の粒径が100nm以下である、Cu、Zn、Sn、及び、Sを含有する半導体粒子とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
銅イオン源と、亜鉛イオン源と、錫イオン源と、イオン同士の結合反応を抑制する配位子と、水とを混合して、カチオン混合液を作製する、カチオン混合液作製工程と、 作製した前記カチオン混合液と、硫黄イオン源とを混合して、前駆体溶液を作製する、前駆体溶液作製工程と、 作製した前記前駆体溶液を容器に入れ、前記前駆体溶液が収容された前記容器を密閉する密閉工程と、 密閉された前記容器内で水熱合成反応を生じさせる、水熱合成反応工程と、 を有することを特徴とする、半導体粒子の製造方法。
IPC (4):
C01G 19/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/368
FI (4):
C01G19/00 A ,  H01L21/205 ,  H01L21/363 ,  H01L21/368 Z
F-Term (15):
5F045AB31 ,  5F045CA13 ,  5F045EB19 ,  5F053AA50 ,  5F053BB06 ,  5F053DD20 ,  5F053GG01 ,  5F053HH10 ,  5F053LL05 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103LL04 ,  5F151AA20 ,  5F151BA11

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