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J-GLOBAL ID：201303075739028351

ベンゾオキサゾール化合物の製造方法

Inventor： 永澤 秀子 ,  上田 聡
Applicant, Patent owner： 三菱瓦斯化学株式会社
Agent (1)： 大谷 保
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008104746
Publication number (International publication number)：2009256219
Patent number：5277699
Application date： Apr. 14, 2008
Publication date： Nov. 05, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】下記に示す反応基質(1)、(3)又は(5)を、比誘電率が1〜15である溶媒及び酸素を含有する雰囲気中にて、銅触媒の存在下に120〜170°Cに加熱して閉環反応を行い、下記に示すベンゾオキサゾール化合物(2)、(4)又は(6)を製造することを特徴とするベンゾオキサゾール化合物の製造方法。 但し、Rは水素、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲン原子、フェニル基、カルボキシアルキル基(アルキル基の炭素数は1〜4)、ベンゾイル基、下記の式(7)で示される基、ベンゼン環と共にナフタレン環を形成する基又はアセトアミド基を表す。 但し、Arはアリール基であって、アルキルフェニル基(アルキル基は炭素数1〜4)、ジアルキルフェニル基(アルキル基は炭素数1〜4)、アルコキシフェニル基(アルコキシ基は炭素数1〜4)、ジアルコキシフェニル基(アルコキシ基の炭素数1〜4)、ハロゲン化フェニル基、カルボキシアルキルフェニル基(アルキル基は炭素数1〜4)、ナフタレン-2-イル基又はチオフェン-2-イル基を表す。 但し、R1は、炭素数1〜5のアルキル基を表す。

IPC (3)：

C07D 263/56 ( 200 6.01) ,  C07D 263/62 ( 200 6.01) ,  C07D 413/04 ( 200 6.01)

FI (3)：

C07D 263/56 ,  C07D 263/62 ,  C07D 413/04