トンネル磁気記録素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：ポレール特許業務法人
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011502505
Patent number：5166600
Application date： Mar. 06, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】磁気記録層と、前記磁気記録層に隣接する障壁層と、前記障壁層に隣接する磁気固定層と、前記磁気記録層の他方の面に隣接して設けられたマルチフェロイックス層と、前記磁気固定層側に設けられた第1の電極層と、前記マルチフェロイックス層側に設けられた第2の電極層と、前記磁気記録層に接続された第3の電極とを有し、前記磁気記録層は、前記マルチフェロイックス層との間に作用する磁気交換結合により、磁化方向が固定され、前記磁気固定層と前記磁気記録層の磁化方向に応じて電気抵抗が変化し、前記磁気記録層の磁気情報を読み出す際に、前記第1の電極層と第2の電極層を介して前記マルチフェロイックス層に電界を印加することにより、前記磁気記録層の磁化回転の確率を低減させて、前記第1の電極層と前記第3の電極との間の電気抵抗を検出して読み出し、前記磁気記録層に磁気情報を書き込む際に、前記第1の電極層と前記第3の電極を介して電流を印加することにより、磁気記録層の磁化方向をスピントランスファートルクにより回転して磁気情報を書込むものであるトンネル磁気記録素子。

IPC (5)：

H01L 21/8246 ( 200 6.01) , H01L 27/105 ( 200 6.01) , H01L 29/82 ( 200 6.01) , H01L 43/08 ( 200 6.01) , H01L 43/10 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 27/10 447 , H01L 29/82 Z , H01L 43/08 M , H01L 43/08 Z , H01L 43/10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

スピンFET、磁気抵抗効果素子及びスピンメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-079966 Applicant：株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-026274 Applicant：富士通株式会社
磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-121010 Applicant：富士通株式会社

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