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J-GLOBAL ID：201303080326372716

フォトニック結晶面発光レーザの製造方法

Inventor： 沼田 愛彦 ,  川島 毅士
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011232983
Publication number (International publication number)：2013093367
Application date： Oct. 24, 2011
Publication date： May. 16, 2013
Summary：

【課題】上下方向へのビームの射出割合を制御する、上下非対称な大きさを持つ構造体を製造する際に、このような構造体を精度良く容易に製造することが可能となるフォトニック結晶面発光レーザの製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板101として、窒化物半導体基板のC軸が窒化物半導体基板の法線と窒化物半導体基板の主面112との双方から傾いた構造を有する窒化物半導体基板を用い、窒化物半導体基板の上に、活性層103を含む窒化物半導体層を成長させる成長工程と、窒化物半導体層104に、2次元フォトニック結晶を形成するための細孔106をエッチングにより形成するエッチング工程と、細孔が形成された窒化物半導体層を、窒素を含む原料雰囲気下で窒化物半導体層を構成する原子を輸送させる熱処理を行い、熱処理によって細孔の深さ方向の形状を上下非対称に変化させる熱処理工程と、を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体基板の上に、2次元フォトニック結晶を備えたフォトニック結晶面発光レーザの製造方法であって、 前記窒化物半導体基板として、該窒化物半導体基板のC軸が該窒化物半導体基板の法線と該窒化物半導体基板の主面との双方から傾いた構造を有する窒化物半導体基板を用い、 前記窒化物半導体基板の上に、活性層を含む窒化物半導体層を成長させる成長工程と、 前記窒化物半導体層に、エッチングマスクを用いて前記2次元フォトニック結晶を形成するための細孔をエッチングにより形成するエッチング工程と、 前記細孔が形成された窒化物半導体層を、窒素を含む原料雰囲気下で該窒化物半導体層を構成する原子を輸送させる熱処理を行い、該熱処理によって該細孔の深さ方向の形状を上下非対称に変化させる熱処理工程と、 を有することを特徴とするフォトニック結晶面発光レーザの製造方法。

IPC (1)：

H01S 5/18

FI (1)：

H01S5/18

F-Term (8)：

5F173AC70 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06 ,  5F173AP24 ,  5F173AP33 ,  5F173AP38 ,  5F173AP42 ,  5F173AR93