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J-GLOBAL ID：201303080542856310

半導体発光装置の製造方法

Inventor： 荒川 泰彦 ,  ギマール ドゥニ ,  塚本 史郎 ,  江部 広治 ,  菅原 充
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
Agent (3)： 北野 好人 ,  三村 治彦 ,  北野 好人
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007123592
Publication number (International publication number)：2007335848
Patent number：5095260
Application date： May. 08, 2007
Publication date： Dec. 27, 2007
Claim (excerpt)：

【請求項1】 下地層上に、自己組織化成長により量子ドットを形成する工程と、 前記量子ドットの表面に有機Sb原料ガスを照射し、前記量子ドットの前記表面にSbの被覆層を形成する工程と、 前記被覆層が形成された前記量子ドット上に、キャップ層を成長する工程と を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。

IPC (2)：

H01S 5/343 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 低格子不整合系における量子ドットの形成方法および量子ドット半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-322038   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
• アンチモン系材料を用いた光通信波長用面発光レーザ素子及びその画像生成装置並びに情報中継装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-186350   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
• 単一光子発生装置および単一光子発生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-043188   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (3)

• 単一光子発生装置および単一光子発生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-043188   Applicant：富士通株式会社
• 低格子不整合系における量子ドットの形成方法および量子ドット半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-322038   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
• アンチモン系材料を用いた光通信波長用面発光レーザ素子及びその画像生成装置並びに情報中継装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-186350   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• Japanese Journal of Applied Physics, 20040115, Vol.43 No.1A/B, P.L82-L84
• Journal of Applied Physics, 20050208, Vol.97, p.53503-1-53503-6
• Applied Physics Letters, 20050125, Vol.86, p.53107-1-53107-3

Cited by examiner (3)

• Japanese Journal of Applied Physics, 20040115, Vol.43 No.1A/B, P.L82-L84
• Journal of Applied Physics, 20050208, Vol.97, p.53503-1-53503-6
• Applied Physics Letters, 20050125, Vol.86, p.53107-1-53107-3