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J-GLOBAL ID：201303083680403830

半導体装置

Inventor： 横山 雅俊 ,  村川 努 ,  岡崎 健一 ,  坂倉 真之 ,  松尾 拓哉 ,  織田 明博 ,  森 重恭 ,  山元 良高
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社
Agent (2)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012093512
Publication number (International publication number)：2013222818
Application date： Apr. 17, 2012
Publication date： Oct. 28, 2013
Summary：

【課題】酸化物半導体膜の端領域に寄生チャネルが発生するのを抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極106と、酸化物半導体膜110と、ソース電極114a及びドレイン電極114bと、前記酸化物半導体膜に形成されるチャネル領域と、を具備し、前記チャネル領域は、前記ソース電極の第1の側面214aと、前記第1の側面214aに対向する前記ドレイン電極の第2の側面214bとの間に形成され、前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重畳しない端領域206を有し、前記重畳しない端領域206は、前記第1の側面214aの一方端314aから最も近い第1の領域206aと、前記第2の側面214bの一方端314bから最も近い第2の領域206bとの間に位置する半導体装置である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極と、酸化物半導体膜と、ソース電極及びドレイン電極と、前記酸化物半導体膜に形成されるチャネル領域と、を具備し、 前記チャネル領域は、前記ソース電極の第1の側面と、前記第1の側面に対向する前記ドレイン電極の第2の側面との間に形成され、 前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重畳しない端領域を有し、 前記重畳しない端領域は、前記第1の側面の一方端から最も近い第1の領域と、前記第2の側面の一方端から最も近い第2の領域との間に位置することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50

FI (6)：

H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616S ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A

F-Term (82)：

2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA30 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JB57 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA10 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA23 ,  2H092NA24 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107EE04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE24 ,  5F110EE25 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HM04 ,  5F110HM05 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN43 ,  5F110NN46 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 液晶表示装置及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-225677   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体デバイスおよび表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-227013   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-226531   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (3)

• 液晶表示装置及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-225677   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体デバイスおよび表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-227013   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及び半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-226531   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所