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J-GLOBAL ID：201303083710144410

第13族窒化物結晶の製造方法及び第13族窒化物結晶

Inventor： 門野 真二郎 ,  藤戸 健史 ,  内山 泰宏 ,  長尾 哲
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (6)： 川口 嘉之 ,  高田 大輔 ,  佐貫 伸一 ,  丹羽 武司 ,  香坂 薫 ,  下田 俊明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012083225
Publication number (International publication number)：2013212945
Application date： Mar. 30, 2012
Publication date： Oct. 17, 2013
Summary：

【課題】結晶面(結晶軸)の反りを改善することができる第13族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】下地基板1の外周4をサセプター2上に押さえる押止機構を備える結晶成長装置を用いて、下地基板1の外周4を押さえながら結晶成長を進めることにより、結晶面(結晶軸)の反りが小さい高品質な第13族窒化物結晶を製造することができる。前記押止機構の好ましい構造の例としてネジ式サセプターが挙げられる。前記ネジ式サセプターは、円板状の下地基板に合わせた構造になっており、押さえ8とサセプター2とがネジのオス構造とメス構造を有したネジ式構造になって、押さえ8がサセプターに対して上下に移動することが可能である。押さえ8又はサセプター2を回し、押さえ8とサセプター2の空間を狭めることにより、押さえ8が緩衝材9を介して下地基板1をサセプター2上に押さえることができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

サセプターに配置された下地基板の主面上に第13族窒化物結晶層を成長させる成長工程を含む第13族窒化物結晶の製造方法であって、 前記成長工程が、前記下地基板の外周をサセプター上に押さえる押止機構を備える結晶成長装置を用いて行われることを特徴とする、第13族窒化物結晶の製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/12 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C30B29/38 D ,  C30B25/12 ,  C23C16/34 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205

F-Term (52)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EG03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TF04 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA05 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030HA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA20 ,  5F045AA01 ,  5F045AA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF20 ,  5F045BB11 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DB01 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ08 ,  5F045EF09 ,  5F045EK06 ,  5F045EM03 ,  5F045GB11 ,  5F045GH08 ,  5F045GH09 ,  5F045GH10