インドール誘導体の製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：神野直美 , 上代哲司
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008060437
Publication number (International publication number)：2009215223
Patent number：5225716
Application date： Mar. 11, 2008
Publication date： Sep. 24, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】下記一般式(I): (式中、 R1は、炭素数1〜4のアルキル基、2位が炭素数1〜4のアルキル基もしくはフェニル基で置換されているビニル基、又は、ハロゲン、炭素数1〜4のアルキル基もしくは炭素数1〜4のアルコキシ基で置換されていてもよいフェニル基を表し、 R2は、ハロゲン、炭素数1〜4のアルキル基もしくは炭素数1〜4のアルコキシ基で置換されていてもよいフェニル基を表し、 R3は、水素、炭素数1〜4のアルキル基、又は、ハロゲン、炭素数1〜4のアルキル基もしくは炭素数1〜4のアルコキシ基で置換されていてもよいフェニル基を表し、 R4及びR5は、互いに同一又は異なって、水素、炭素数1〜4のアルキル基、又はハロゲン、炭素数1〜4のアルキル基もしくは炭素数1〜4のアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基を表す。)で表されるインドール誘導体を合成する方法であって、下記一般式(II): (式中、R1、R2及びR3は前記と同じ意味を表す。) で表されるアルコールと、下記一般式(III): (式中、R4及びR5は前記と同じ意味を表す。) で表されるインドール又はその置換体を、Zn(OTf)2、Sc(OTf)3、Cu(OTf)2及びIn(OTf)3(式中Tfは、-SO2-CF3を表す。)からなる群より選ばれる触媒の存在下、マイクロ波照射により、90°C〜110°Cの範囲内に加熱しながら10分〜30分間反応させることを特徴とするインドール誘導体の製造方法。

IPC (4)：

C07D 209/08 ( 200 6.01) , C07D 209/10 ( 200 6.01) , C07D 209/12 ( 200 6.01) , C07B 61/00 ( 200 6.01)

FI (4)：

C07D 209/08 , C07D 209/10 , C07D 209/12 , C07B 61/00 300

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

Angewandte Chemie, International Edition, 2006, vol.45, no.5, p.793-796
Tetrahedron Letters, 2007, vol.48, no.40, p.7160-7163
Khimiya Geterotsiklicheskikh Soedinenii, 1993, no.9, p.1289-1290

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Cited by examiner (7)

Angewandte Chemie, International Edition, 2006, vol.45, no.5, p.793-796
Tetrahedron Letters, 2007, vol.48, no.40, p.7160-7163
Khimiya Geterotsiklicheskikh Soedinenii, 1993, no.9, p.1289-1290

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