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J-GLOBAL ID：201303084838948496
修飾基導入基板の製造方法およびリガンド固定化基板の製造方法,修飾基導入基板およびリガンド固定化基板,ならびに,分子間相互作用検出方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
特許業務法人SSINPAT
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011143128
Publication number (International publication number)：2013011465
Application date： Jun. 28, 2011
Publication date： Jan. 17, 2013
Summary：
【課題】基板へのリガンド固定化操作が簡便であり、かつ、リガンド固定化率の再現性が担保され易い基板の製造方法およびその基板ならびに分子間相互作用検出方法を提供することを課題とする。【解決手段】工程(a):SiN〔窒化ケイ素〕からなる表面を有する基板を準備する工程と、工程(b):基板のSiN〔窒化ケイ素〕からなる表面に、エポキシ基,アジド基,イソシアネート基およびイソチオシアネート基からなる群から選択される少なくとも1つの修飾基を導入する工程を含み、好ましくは工程(c):チオール基,アミノ基およびヒドロキシル基からなる群から選択される少なくとも1つの反応基を有するリガンドを、該反応基と上記修飾基との反応を介して、上記基板の表面に固定化する工程を含むことを特徴とする、リガンド固定化基板の製造方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
工程(a):SiN〔窒化ケイ素〕からなる表面を有する基板を準備する工程と、
工程(b):前記基板のSiNからなる表面に、エポキシ基,アジド基,イソシアネート基およびイソチオシアネート基からなる群から選択される少なくとも1つの修飾基を導入する工程と、を含むことを特徴とする、修飾基導入基板の製造方法。
IPC (1)：
FI (1)：
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