半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人YKI国際特許事務所
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2011053909
Publication number (International publication number)：WO2011105397
Application date： Feb. 23, 2011
Publication date： Sep. 01, 2011
Summary：

半導体装置(10)は、ガラス基板(12)、下部電極層(14)、n型にドーピングされたポリシリコン半導体層(16)、ナノワイヤ(32)の成長の核となる開口部(22),(23)を有する低温絶縁膜(20)、その上に成長するコアシェル構造のナノワイヤ(32)、その周囲を覆う絶縁層(50)、上部電極層(52)を含んで構成される。ナノワイヤ(32)は、n型GaAsのコア層と、p型GaAsのシェル層とで構成される。この他に、ナノワイヤは、量子井戸構造を有するナノワイヤとすることもでき、処理温度を低温化できるInAsを用いることもできる。

Claim (excerpt)：

ガラスまたはフィルム状の基板と、基板の面に平行に(111)面を有して形成されるポリシリコン半導体層と、ポリシリコン半導体層の(111)面を被覆し、ポリシリコンの各結晶粒の(111)面上の面積よりも小さい面積の複数の開口部を有する開口部付絶縁膜と、開口部付絶縁膜の開口部を核として、ポリシリコン半導体層の(111)面に垂直に延びるIII-V族化合物半導体の複数のナノワイヤと、を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (10)：

H01L 33/06 , H01L 33/24 , H01L 33/30 , H01S 5/343 , H01S 5/042 , H01L 31/10 , H01L 21/205 , C30B 29/62 , H01L 29/06 , H01L 31/04

FI (11)：

H01L33/00 112 , H01L33/00 174 , H01L33/00 184 , H01S5/343 , H01S5/042 612 , H01L31/10 A , H01L21/205 , C30B29/62 U , H01L29/06 601N , H01L31/04 E , H01L29/06 601W

F-Term (66)：

4G077AA04 , 4G077AB09 , 4G077BE46 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EF01 , 4G077FJ06 , 4G077HA02 , 5F045AA04 , 5F045AA15 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AD08 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045CA12 , 5F045DA55 , 5F045DA56 , 5F045DB02 , 5F049MA02 , 5F049MA03 , 5F049MB07 , 5F049PA04 , 5F049PA18 , 5F141CA02 , 5F141CA10 , 5F141CA23 , 5F141CA35 , 5F141CA65 , 5F141CA66 , 5F141CA73 , 5F141CA82 , 5F141CA88 , 5F141CA91 , 5F141CA93 , 5F141CB22 , 5F141CB36 , 5F151AA08 , 5F151DA01 , 5F151DA03 , 5F151DA13 , 5F173AC02 , 5F173AC12 , 5F173AD02 , 5F173AF03 , 5F173AF12 , 5F173AF20 , 5F173AF32 , 5F173AG11 , 5F173AH02 , 5F173AH45 , 5F173AK05 , 5F173AK20 , 5F173AK21 , 5F173AP06 , 5F173AP10 , 5F173AP13 , 5F173AP17 , 5F173AP62 , 5F173AP81 , 5F173AQ10 , 5F173AR99

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