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J-GLOBAL ID：201303086403671002

誘導多能性幹細胞の製造方法、及びその製造方法により得られる誘導多能性幹細胞

Inventor： 秋山 秀典 ,  白石 絵吏 ,  北野 健
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 熊本大学
Agent (1)： 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2011063632
Publication number (International publication number)：WO2011158845
Application date： Jun. 15, 2011
Publication date： Dec. 22, 2011
Summary：

本発明の課題は、より簡便な操作により誘導多能性幹細胞を製造する方法及びNanog遺伝子発現細胞の製造方法を提供することにある。本発明によれば、体細胞又は受精卵にパルスパワーを印加する工程を含むことを特徴とする、誘導多能性幹細胞の製造方法及びNanog遺伝子発現細胞の製造方法が提供される。

Claim (excerpt)：

体細胞又は受精卵にパルスパワーを印加する工程を含むことを特徴とする、誘導多能性幹細胞の製造方法。

IPC (3)：

C12N 5/00 ,  C12N 5/074 ,  C12N 15/09

FI (3)：

C12N5/00 ,  C12N5/00 202D ,  C12N15/00 A

F-Term (20)：

4B024AA01 ,  4B024AA20 ,  4B024BA80 ,  4B024GA11 ,  4B024GA30 ,  4B024HA20 ,  4B029AA24 ,  4B029BB11 ,  4B029CC01 ,  4B029DG10 ,  4B065AA90X ,  4B065AB01 ,  4B065AB10 ,  4B065AC12 ,  4B065BA25 ,  4B065BC50 ,  4B065BD50 ,  4B065CA41 ,  4B065CA44 ,  4B065CA47