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J-GLOBAL ID：201303086962822355

二酸化炭素の水素化またはギ酸の脱水素化に用いる触媒、該触媒を用いる二酸化炭素の水素化方法、ギ酸の脱水素化方法、水素の貯蔵および製造方法

Inventor： 姫田 雄一郎 ,  王 万輝
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012062042
Publication number (International publication number)：2013193983
Application date： Mar. 19, 2012
Publication date： Sep. 30, 2013
Summary：

【課題】二酸化炭素の水素化によるギ酸の製造、ギ酸の脱水素化による水素の製造、水素の貯蔵および製造を高効率・高エネルギー効率で行える触媒の提供。【解決手段】式(1)で表される単核金属錯体。式(1)において、Q1〜Q4は窒素であるか、または窒素と炭素であり、X1〜X4はヒドロキシ基、等であり、R1〜R9は水素原子、アルキル基等であり、Yは任意の配位子であるか、または存在せず、mは正の整数、0、または負の整数である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下記式(1)で表される錯体配位子上の特定の位置に4つの酸素官能基(X1〜X4)を有する単核イリジウム錯体、その互変異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩化合物。

IPC (5)：

C07F 17/00 ,  B01J 31/22 ,  C01B 3/26 ,  C07C 51/00 ,  C07C 53/02

FI (5)：

C07F17/00 ,  B01J31/22 Z ,  C01B3/26 ,  C07C51/00 ,  C07C53/02

F-Term (36)：

4G140DA02 ,  4G140DC03 ,  4G169AA06 ,  4G169AA08 ,  4G169BA27A ,  4G169BA27B ,  4G169BC74A ,  4G169BC74B ,  4G169BE13A ,  4G169BE13B ,  4G169BE37A ,  4G169BE37B ,  4G169BE38A ,  4G169BE38B ,  4G169CB02 ,  4G169CB07 ,  4G169CB81 ,  4H006AA02 ,  4H006AC46 ,  4H006BA22 ,  4H006BA44 ,  4H006BA46 ,  4H006BA61 ,  4H006BB31 ,  4H006BE20 ,  4H006BE41 ,  4H006BS10 ,  4H039CA65 ,  4H039CB20 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB40 ,  4H050WB11 ,  4H050WB14 ,  4H050WB17 ,  4H050WB21