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J-GLOBAL ID：201303087479384947

構造化されたシリコン電池アノード

Inventor： ビスウォル,シバニ,リサ ,  ウォン,マイケル,エス ,  サカー,マドフリ ,  シンサボー,スティーブン,エル ,  イサークソン,マーク,ジェイ
Applicant, Patent owner： ウィリアム マーシュ ライス ユニバーシティ ,  ロッキード マーティン コーポレイション
Agent (3)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2012537080
Publication number (International publication number)：2013509687
Application date： Oct. 28, 2010
Publication date： Mar. 14, 2013
Summary：

電気化学エッチングおよびそれに続く不動態化剤処理での被覆によって、多孔質シリコンを製造する方法が提供される。被覆された多孔質シリコンは、アノードおよび電池を作成するために使用することができる。被覆された多孔質シリコンは、大量のリチウムと合金化し、少なくとも1000mAh/gの容量を有し、この性能を少なくとも60の充電/放電サイクルを通して保持する能力がある。具体的なpSi調合は、少なくとも60サイクルの間非常に高容量(3000mAh/g)を提供し、これはシリコンの理論値の80%である。第3のサイクル後のクーロン効率は、95〜99%である。最良の容量は、3400mAh/gを超え、最良のサイクル寿命は、240サイクルを超え、その容量およびサイクル寿命は、適用の必要に応じて変化させることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

被覆された多孔質シリコンを作成する方法であって、 (a)電気化学セル内のシリコンを、孔の深さ5〜100μmで直径10nmから10μmまでの孔を有する多孔質シリコンを生成するために、電流の下でエッチングすることと、 (b)少なくとも1nmの不動態化材料で前記多孔質シリコンを被覆することと、 を含み、 前記被覆された多孔質シリコンは、少なくとも50サイクルの間、少なくとも1000mAh/gの充電容量を有する、方法。

IPC (7)：

H01M 4/38 ,  H01M 4/36 ,  H01M 4/134 ,  H01M 4/139 ,  H01M 4/66 ,  H01M 2/02 ,  H01M 10/058

FI (9)：

H01M4/38 Z ,  H01M4/36 C ,  H01M4/02 105 ,  H01M4/02 112 ,  H01M4/66 A ,  H01M2/02 A ,  H01M2/02 C ,  H01M2/02 K ,  H01M10/00 115

F-Term (45)：

5H011AA03 ,  5H017AA03 ,  5H017CC03 ,  5H017EE01 ,  5H017EE06 ,  5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK11 ,  5H029AL11 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ13 ,  5H029CJ03 ,  5H029CJ22 ,  5H029CJ25 ,  5H029DJ07 ,  5H029DJ13 ,  5H029EJ01 ,  5H029EJ04 ,  5H029HJ04 ,  5H029HJ06 ,  5H029HJ17 ,  5H029HJ19 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050CA17 ,  5H050CB11 ,  5H050DA04 ,  5H050DA07 ,  5H050FA04 ,  5H050FA09 ,  5H050FA15 ,  5H050GA03 ,  5H050GA14 ,  5H050GA22 ,  5H050GA25 ,  5H050GA27 ,  5H050HA04 ,  5H050HA17 ,  5H050HA19 ,  5H050HA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 二次電池用負極およびこれを用いた二次電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-208320   Applicant：日本電気株式会社
• ポーラスシリコンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-101931   Applicant：公立大学法人首都大学東京
• リチウム二次電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-058800   Applicant：キヤノン株式会社